* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.
100 % Rg and UIS tested
Техническая спецификация
Datasheet - Si2387DS-T1-GE3Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
11 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |