* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay Dual N-Channel MOSFET provides exceptional versatility for power management design.
Very low RDS(on) and excellent RDS x Qg
Figure-of-Merit (FOM) in an ultra compact
package footprint
Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0215 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.5 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SC-70-6L Dual
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |