Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V, 3-Pin DPAK Vishay SiHD5N80AE-GE3

2282852
Номер производителя: SiHD5N80AE-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
308.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SiHD5N80AE-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
850 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
1.35 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.4 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
E Серия
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию