* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Техническая спецификация
Datasheet - SIRA20BDP-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.00058 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
335 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |