* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay N-Channel 200 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Техническая спецификация
Datasheet - SUP90100E-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0109 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
150 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |