* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics 20 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
No or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Robust high voltage periphery
Operating Tj from -40 °C to 175 °C
Datasheet - STPSC20H12G2-TRКоличество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
20A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
1200В
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |