* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics STPSC10H065 is the 10 A, 650 V SiC diode is an ultrahigh performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a schottky diode structure with a 650 V rating.
No reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
Datasheet - STPSC10H065G2Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
650В
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
D2PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |