* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display, TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb−free
Halogen free
RoHS compliant
Datasheet - FDT4N50NZUКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное пороговое напряжение:
5.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
3 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2 A
Серия:
UniFET II
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |