* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ON Semiconductor MOSFET - N-channel shielded gate power trench MOSFET which has drain to source voltage of 150 V.
Optimized Switching performance
Max RDS(on) = 10.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 75.4 A
Industry’s Lowest Qrr and softest Body-Diode for superior low noise switching
50% Lower Qrr than other MOSFET Suppliers
High efficiency with lower switching spike and EMI
Lowers Switching Noise/EMI
Improved switching FOM particularly Qgd
100% UIL Tested
No need or less snubber
Datasheet - NTB011N15MCКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0109 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
75.4 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTB01
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |