Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 59 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 Infineon IMZA65R027M1HXKSA1

2320401
Номер производителя: IMZA65R027M1HXKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
6407.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon has SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package. The 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Its suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency. MOSFET in TO247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

Low capacitances
Optimized switching behaviour at higher currents
Superior gate oxide reliability
Excellent thermal behaviour
Increased avalanche capability
Works with standard driver

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IMZA65R027M1HXKSA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5.7В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.034 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
59 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolSiC
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию