* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon 600V enhancement-mode power transistor offers fast turn-on and turn-off speed, minimum switching losses and enables simple half-bridge topologies with the highest efficiency. The gallium nitride CoolGaN 600V series is qualified according to a comprehensive GaN-tailored qualification well beyond existing standards. Its improves system efficiency, improves power density and enables higher operating frequency.
Ultrafast switching
No reverse-recovery charge
Capable of reverse conduction
Low gate charge, low output charge
Superior commutation ruggedness
Datasheet - IGLD60R190D1AUMA3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.6В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.19 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Серия:
CoolGaN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
LSON-8
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |