Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW70N120G2V

2333024
Номер производителя: SCTW70N120G2VПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
14632.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the Sic material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SCTW70N120G2V
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.021 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
91 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTW70N
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию