* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Datasheet - STB37N60DM2AGКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.094 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
28 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STB37N60
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |