* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
The ON Semiconductor NTH4L022N120M3S is SiC power, single N-Channel MOSFET. It is available in a TO247-4L package. With Drain to Source voltage of 1200 V and continuous drain current of 68 A, the NTH4L022N120M3S is used in applications like Solar Inverters, Electric Vehicle Charging Stations, UPS (Uninterruptible Power Supplies), Energy Storage Systems, SMPS (Switch Mode Power Supplies).
The typical RDS(on) for this device is 22 mꭥ with VGS of 18 V
The device offers low switching losses
It is 100% avalanche tested
Datasheet - NTH4L022N120M3SКанал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.03 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
68 A
Материал транзистора:
SiC
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4L
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |