* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 30 V. It is capable of 4.5 V gate drive.
High speed switching
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
Pb-free
Halogen-free
Datasheet - RJK0391DPA-00#J5AКанал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0029 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
50 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
BEAM
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
WPAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |