* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Best-in-class SOA capability
High current surge capability
Extremely low on-resistance
Datasheet - STH200N10WF7-2Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STH200
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-2
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |