* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 100A continuous drain current.
Chassis mount
-40°C to 150°C operating temperature
Datasheet - F411MR12W2M1B76BOMA1Канал - тип:
N
Количество элементов на чип:
4
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
5.55V
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0113 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Материал транзистора:
SiC
Серия:
F4
Тип монтажа:
Винтовое крепление
Тип упаковки:
AG-EASY2B
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |