* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon OptiMOSTM5 power transistor operated on 100V and drain current of 4A.The OptiMOSTM5 Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp up and optimized lead times. OptiMOS™ low voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.
Optimized for high performance SMPS
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
N-channel, logic level
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Datasheet - BSC0803LSATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0146 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
44 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SuperSO8 5 x 6
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |