* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon OptiMOSTM6 power transistor operated on 40V and drain current of 475A. It is in Stoll package features very low RDS(on) of 0.60mOhm. It has the advantages of Infineon’s well known quality level for robust industry packages making it the ideal solution for various performance in battery powered applications, battery protection and battery formation.
Optimized for low voltage motor drives application
Optimized for battery power applications
Very low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
Superior thermal performance
N-channel
Datasheet - IST006N04NM6AUMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0006 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
475 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOF-5
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |