* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is ideal for switching purpose.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Datasheet - RQ3P300BHTB1Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0155 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
39 A
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSMT
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |