* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Storage temperature range −55 to 150 °C
Техническая спецификация
Datasheet - SSM3J338R,LF(TКанал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.63e+007 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Материал транзистора:
Silicon
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |