* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching and high speed switching applications.
Storage temperature range −55 to 150 °C
Техническая спецификация
Datasheet - SSM3K329R,LF(TКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.89e+008 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.5 A
Материал транзистора:
Silicon
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |