* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba bipolar transistor made up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.
Storage temperature range −55 to 150 °C
Техническая спецификация
Datasheet - TBC847B,LM(TКоличество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
200 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |