* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It provides excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages. With no parasitic Thyristor structures present in the device, no parasitic latch up can occur over all temperature and voltage conditions.
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diodeFloating channel designed for bootstrap operationIndependent under voltage lockout for both channels50% lower level-shift losses
Mfr Part No.:
2ED2103S06FXUMA1
Logic Type
Время спада:
35ns
Выходной ток:
290 mA
Количество контактов:
8
Напряжение питания:
10 → 20V
Тип упаковки:
DSO
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |