Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IPT030N12N3GATMA1

2363670
Номер производителя: IPT030N12N3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1509.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS power MOSFET is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.

High power density and improved thermal management
Less board space needed
High system efficiency and less paralleling required

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPT030N12N3GATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
120 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.003 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
237 A
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOF-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию