Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 250 mA, 90 V, 3-Pin TO-92 Microchip VP0109N3-G

2368964
Номер производителя: VP0109N3-GПроизводитель: Microchip
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
362.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

Техническая спецификация
pdfDatasheet - VP0109N3-G
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
90 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
8 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
250 мА
Режим канала:
Enhancement
Серия:
VP0109
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-92
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию