* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay N channel MOSFET has drain current of 104 A. It is used for high power density DC/DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC/DC, battery protection
100 % Rg and UIS tested
Техническая спецификация
Datasheet - SISA10BDN-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
104 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8PT
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |