* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Microchip TN5325 series of low-threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilize a vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Low threshold of maximum 2V
High input impedance and high gain
Rise Time of 15 ns
Turn-off Delay Time of 25 ns
Fall Time of 25 ns
Datasheet - TN5325K1-GКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
150 мА
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TN5325
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-92
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |