Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 153 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC018NE2LSIATMA1

2419668
Номер производителя: BSC018NE2LSIATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
331.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 25 V drain source voltage (VDS) & 153 A drain current (ID). It's ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, makes it the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. It saves overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters and reduce power losses and increase efficiency for all load conditions.

Optimized for high performance buck converter
Monolithic integrated schottky like diode
Very low on-resistance RDS(on)@VGS = 4.5V
100% avalanche tested
N-channel
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC018NE2LSIATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
153 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SuperSO8 5 x 6
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию