Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 153 A, 25 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ018NE2LSATMA1

2419697
Номер производителя: BSZ018NE2LSATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
448.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.

Very low on-resistance
Qualified according to JEDEC for target applications

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSZ018NE2LSATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
153 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN 3 x 3
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию