Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET, 47.2 A, 650 V TO-247 Nexperia GAN041-650WSBQ

2434620
Номер производителя: GAN041-650WSBQПроизводитель: Nexperia
Цена за шт.
6093.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Nexperia Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies offering superior reliability and performance.

Ultra-low reverse recovery charge
Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
Robust gate oxide (±20 V capability)
High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
Transient over-voltage capability

Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
Bridgeless totempole PFC
PV and UPS inverters
Servo motor drives

Техническая спецификация
pdfDatasheet - GAN041-650WSBQ
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
47.2 A
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию