* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon N-channel power MOSFET is an ideal for high frequency switching. It has an excellent gate charge product (FOM). It typically provided in D2PAK package system. The drain current and drain-source voltage of power MOSFET is 173 A and 80 V respec
300 W power dissipation
Surface mount
Optimized for synchronous rectification
Output capacitance reduction of up to 44 %
Datasheet - IPB020N08N5ATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
173 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |