Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 55 V, 8-Pin SOIC Infineon AUIRF7343QTR

2439288
Номер производителя: AUIRF7343QTRПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
756.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon AUIRF7343QTR specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFET's are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Advanced Planar Technology
Ultra Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Dual N and P Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
150°C Operating Temperature
Lead-Free, RoHS Compliant

Техническая спецификация
pdfDatasheet - AUIRF7343QTR
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию