Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD65R660CFDAATMA1

2448548
Номер производителя: IPD65R660CFDAATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
585.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon CoolMOS MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS CFDA series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while offering an extremely fast and robust body diode. This combination of extremely low switching, commutation and conduction losses together with highest robustness make especially resonant switching applications more reliable, more efficient, lighter, and cooler.

Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low
Easy to use/drive
Qualified according to AEC Q101
Green package (RoHS compliant)

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD65R660CFDAATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-252
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию