Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 80 A, 1200 V Tray ROHM BSM080D12P2C008

2461500
Номер производителя: BSM080D12P2C008Производитель: ROHM
Цена за шт. (норма упаковки 12 шт)
103626.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

The ROHM BSM080D12P2C008 is a half bridge module consisting of Sic DMOSFET and Sic-SBD this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence the Sic half bridge power module is deal for applications such as motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.

Low surge
Low switching loss
High speed switching possible
Reduced temperature dependence

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSM080D12P2C008
Канал - тип:
N
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
80 A
Тип монтажа:
Винтовое крепление
Тип упаковки:
Tray
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию