* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It offers an ESD protected gate (up to 1kV).
Maximum drain to source voltage is 100 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers a low gate threshold voltage It provides a low input capacitance
Техническая спецификация
Datasheet - DMN10H6D2LFDB-7Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
10 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
270 мА
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN2020
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |