Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

DiodesZetex Dual N-Channel MOSFET, 9 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2030 Diodes Inc DMN2014LHAB-13

2467508
Номер производителя: DMN2014LHAB-13Производитель: DiodesZetex
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
117.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The DiodesZetex makes a new generation dual N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2030-6 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It has working temperature range of -55°C to +150°C. It offers low input capacitance and fast switching speed.

Maximum drain to source voltage is 20 V and maximum gate to source voltage is ±16 V It offers low on-resistance and low gate threshold voltage ESD protected gate

Техническая спецификация
pdfDatasheet - DMN2014LHAB-13
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.028 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9 A
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN2030
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию