* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN1212-3 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.
Maximum drain to source voltage is 20 V and Maximum gate to source voltage is ±8 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage
Техническая спецификация
Datasheet - DMN2310UFD-7Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.95В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.7 A
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN1212-3
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |