* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 348 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.
Ultra Low Gate Charge 164 nC
Low capacitance 278 pF
100 percent avalanche tested
Temperature 175°C
RDS(on) 19 mohm
Datasheet - NTHL025N065SC1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
99 A
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |