* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 176 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.
Ultra low gate charge 74 nC
Low capacitance 133 pF
100 percent avalanche tested
Temperature 175°C
RDS(on) 44 mohm
Datasheet - NTHL060N065SC1
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
ТК Деловые Линии | от 500 руб |
Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
Другой транспортной компанией | По согласованию |