* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.
Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
Optimized for fly-back topologies
12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers
Very low switching losses
Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
Fully controllable dV/dt for EMI optimization
Datasheet - IMBF170R450M1XTMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1700 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.8 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |