* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.
Very low switching losses
Short circuit withstand time 3 μs
Fully controllable dV/dt
Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
Robust body diode for hard commutation
XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Package creepage and clearance distance > 6.1mm
Sense pin for optimized switching performance
Datasheet - IMBG120R220M1HXTMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
18 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |