Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Renesas Electronics HIP2210FRTZ-T7A, 3 A, 4 A, 6 → 18V 10-Pin, TDFN

2506591
Номер производителя: HIP2210FRTZ-T7AПроизводитель: Renesas Electronics
Цена за шт. (норма упаковки 3 шт)
627.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Renesas 100 V, 3 A source, 4 A sink high-frequency half-bridge NMOS FET driver belongs to HIP2210 series. This driver has 10 pin configuration. It features a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6 V to 18 V and integrated high-side bootstrap diode supports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

115 VDC bootstrap supply maximum voltage supports 100 V on the half-bridge
Fast propagation delay and matching : 15ns typical delay, 2 ns typical matching (HIP2211)
Integrated 0.5 Ω typical bootstrap diode
Wide 6 V to 18 V operating voltage range
VDD and boot Undervoltage Lockout (UVLO)

Техническая спецификация
pdfDatasheet - HIP2210FRTZ-T7A
Время спада:
365ns
Выходной ток:
3 A, 4 A
Количество контактов:
10
Напряжение питания:
6 → 18V
Тип логики:
NMOS
Тип упаковки:
TDFN
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию