Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 39.6 A, 200 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR610EP-T1-RE3

2520262
Номер производителя: SIDR610EP-T1-RE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1306.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIDR610EP-T1-RE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
39.6 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8DC
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию