* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon HEXFET power MOSFET is utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced process technology
Ultra low on-resistance
175°C operating temperature
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Multiple package options
Lead-free
Техническая спецификация
Datasheet - IRFR3710ZTRPBFКанал - тип:
N
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
42 A
Тип монтажа:
PCB Monut
Тип упаковки:
D-PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |