* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon 650 V high and low side gate driver with high current, and high speed to drive MOSFET and IGBT, with typical 2.5 A sink and source current in DSO-14 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
High and Low Voltage Pins Separated for Maximum Creep age and Clearance
Separate logic and power ground
Техническая спецификация
Datasheet - 2ED21814S06JXUMA1Время спада:
15нс
Выходной ток:
2.5 A
Напряжение питания:
10 → 20В
Тип логики:
CMOS, LSTTL
Тип упаковки:
DSO
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |