* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon 650 V half-bridge high current, and high speed gate driver for MOSFET and IGBT, with typical 2.5 A sink and source current in DSO-8 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.
Negative VS transient immunity of 100 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
Integrated shoot-through protection with built-in dead time (400 ns)
Maximum supply voltage of 25 V
50% lower level-shift losses
Техническая спецификация
Datasheet - 2ED2184S06FXUMA1| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |