* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.
TSLP-2-19 package with a 0402 foot print
Pb-free, RoHS compliant and halogen-free
Техническая спецификация
Datasheet - BAT1502ELE6327XTMA1Максимальный постоянный прямой ток:
110мА
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
4В
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSLP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |