* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type of device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage diode and low junction capacitance, make BAT24 - 02LS a suitable choice for mixer and detector functions in applications whose frequencies are as high as 24 GHz.
Low inductance LS of 0.2 nH
Low capacitance C of 0.2 pF at 1 MHz
TSSLP-2-1 package with a 0201 footprint
Pb-free (RoHS compliant) and halogen free
Техническая спецификация
Datasheet - BAT2402LSE6327XTSA1Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
110мА
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
4В
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSSLP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |