* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.
Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V
Low profile and small form factor leadless package
Техническая спецификация
Datasheet - BFR840L3RHESDE6327XTSA1Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
2.25 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
35 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TSLP-3-9
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |